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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利互通电极结构、其制造方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111617901.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权互通电极结构、其制造方法与应用是由林剑;张浩;王敬;王振国;骆群;龚超;马昌期设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本互通电极结构、其制造方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种互通电极结构、其制造方法与应用。所述制造方法包括：在绝缘基材的选定区域加工出通孔，所述通孔沿厚度方向贯穿所述基材；在所述基材的第一面施加包含第一导电材料的导电浆料，并使部分的导电浆料进入通孔且到达通孔两端之间的设定位置；以第二导电材料在所述基材相背于第一面的第二面形成第二导电层，并使部分的第二导电材料进入通孔形成第二导电体，所述第二导电体与通孔内的第一导电体电性结合，所述第一导电体由进入通孔的导电浆料形成，从而在所述基材内形成导电通道。本发明提供的互通电极结构制作方法具有工艺简单、制造成本低等优点，所获透明电极导电性能良好、良品率高。

本发明授权互通电极结构、其制造方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种互通电极结构的制造方法，其特征在于，包括： 在绝缘基材的选定区域加工出通孔，所述通孔沿厚度方向贯穿所述绝缘基材； 在所述绝缘基材的第一面施加包含第一导电材料的导电浆料，并使部分的导电浆料进入所述通孔且到达设定位置，所述设定位置位于所述通孔的两端之间； 以第二导电材料在所述绝缘基材相背于第一面的第二面形成第二导电层，并使部分的第二导电材料进入所述通孔形成第二导电体，所述第二导电体与所述通孔内的第一导电体电性结合，所述第一导电体由进入所述通孔的所述导电浆料形成，从而在所述绝缘基材内形成导电通道； 在所述绝缘基材的第二面形成第三导电层，并使所述第二导电层以半包围的形式设置在第三导电层周围或者围绕第三导电层设置，且使所述第二导电层与第三导电层电性接触但彼此无交叠； 其中，所述第三导电层为透明导电层，所述第二导电层为线条状，线条宽度≤5mm，并且所述第二导电层的等效方块电阻≤5Ωsq，以及，所述第二导电层的最高点相比于第三导电层的突起高度5μm。

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