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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110128707.0，技术领域涉及：H01S5/0232；该发明授权一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法是由付传尚;开北超;孙素娟;徐现刚;郑兆河设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及了一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法。包括L形散热热沉，L形散热热沉的竖直臂上设置有AlN陶瓷基底，AlN陶瓷基底上方设置有与AlN陶瓷基底相匹配的多芯片阵列；所述多芯片阵列包括交替连接的钨铜热沉和mini芯片，钨铜热沉和mini芯片呈一端对齐的阵列排布；所述AlN陶瓷基底上设置有凹槽，凹槽和mini芯片的位置与个数相对应；所述L形散热热沉的水平臂上设置有安装固定孔。本发明通过芯片的侧面进行焊接绝缘，整体实现了侧面出光，克服了现有的以厘米巴条封装的器件通常向上出光的问题。同时使用时的电流小，避免了散热不均匀。

本发明授权一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构，其特征在于，包括L形散热热沉，L形散热热沉的竖直臂上设置有AlN陶瓷基底，AlN陶瓷基底上方设置有与AlN陶瓷基底相匹配的多芯片阵列； 所述多芯片阵列包括交替连接的钨铜热沉和mini芯片，钨铜热沉和mini芯片呈一端对齐的阵列排布；所述AlN陶瓷基底上设置有凹槽，凹槽和mini芯片的位置与个数相对应；所述L形散热热沉的水平臂上设置有安装固定孔； 所述传导冷却半导体激光器封装结构的两侧还设置有电极片，电极片为L形，一部分与多芯片阵列相连接，另一部分通过电极绝缘片与L形散热热沉相连接；所述钨铜热沉的个数至少为3个，mini芯片的个数至少为2个； 所述用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构侧面出光，并通过侧面出光实现快轴横向与慢轴纵向转换，使能量分布均匀，提升光束质量； 所述用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构的封装方法，包括步骤如下： 1根据所泵浦晶体的有效吸收面积以及能量需求截取mini芯片，根据散热需求确认芯片间距选取钨铜热沉；将mini芯片和钨铜热沉以一端对齐的形式通过高温硬焊料交替焊接至一起，得到多芯片阵列； 2将多芯片阵列置于AlN陶瓷基底上方，AlN陶瓷基底的凹槽位置与mini芯片位置相对应，通过无铅焊料将多芯片阵列焊接到AlN陶瓷基底上，再将带有多芯片阵列的AlN陶瓷基底安装到散热热沉上组成传导冷却半导体激光器封装结构，最后在传导冷却半导体激光器封装结构两侧安装电极绝缘片和电极片，在安装固定孔上固定激光器，完成用于泵浦的传导冷却半导体激光器的封装。

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