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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利超结器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210189068.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结器件是由王加坤;李吕强;陈辉设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超结器件。所述超结器件包括：半导体衬底；以及位于所述半导体衬底的第一表面上的超结结构，所述超结结构包括多个第一半导体柱和多个第二半导体柱，其中，所述超结器件包括元胞区和围绕所述元胞区的终端区，所述超结结构的一部分位于所述元胞区中，另一部分位于所述终端区中，所述超结器件还包括位于所述终端区中并且围绕所述元胞区的保护环，所述保护环包括分段延伸的多个掺杂区，以及将所述多个掺杂区连接成连续环的第一组半导体柱的顶端部分。该超结器件的保护环中的第一组半导体柱的顶端部分未掺杂，因此可以改善保护环的杂质分布和终端区中的电荷平衡，提高超结器件的耐压性能。

本发明授权超结器件在权利要求书中公布了：1.一种超结器件，包括： 半导体衬底；以及 位于所述半导体衬底的第一表面上的超结结构，所述超结结构包括多个第一半导体柱和多个第二半导体柱，所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱在所述第一表面上交替排列且彼此邻接，所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱的掺杂类型彼此相反，彼此相邻的第一半导体柱和第二半导体柱形成PN结， 其中，所述超结器件包括元胞区和围绕所述元胞区的终端区，所述超结结构的一部分位于所述元胞区中，另一部分位于所述终端区中，所述超结器件还包括位于所述终端区中并且围绕所述元胞区的保护环， 所述保护环包括分段延伸的多个掺杂区，以及将所述多个掺杂区连接成连续环的第一组半导体柱的顶端部分，所述掺杂区位于所述终端区中第二组半导体柱的顶端部分，所述第一组半导体柱选自所述多个第一半导体柱，所述第二组半导体柱选自所述多个第二半导体柱，形成保护环时仅对所述第二组半导体柱的顶端进行重掺杂以使其掺杂类型反型，所述第一组半导体柱的顶端部分维持原有掺杂类型和浓度不变。

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