株式会社国际电气冈岛优作获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089801.3，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质是由冈岛优作设计研发完成，并于2020-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够对设置于反应管的内部的基板晶圆的表面实施均匀的成膜处理的技术，将基板处理装置构成为具备：反应管，其在内部容纳基板；喷嘴容纳部，其在反应管的侧方沿与基板的表面平行的方向延伸并与基板对应地配置；气体供给喷嘴，其插入喷嘴容纳部的内部，并从反应管的外侧延伸至反应管的内部；以及第一气体供给部，其向气体供给喷嘴供给第一气体。
本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具有： 反应管，其容纳保持于基板保持部的多个基板； 喷嘴容纳部，其在上述反应管的侧方沿与上述基板的表面平行的方向延伸配置； 多个气体供给喷嘴，其能够根据上述多个基板的上下方向的间隔对上述多个基板分别从与上述基板的表面平行的方向供给气体地插入上述喷嘴容纳部的内部，且从上述反应管的外侧延伸至上述反应管的内部； 第一气体供给部，其向上述气体供给喷嘴供给第一气体；以及 第二气体供给部，其在上述反应管的外侧向上述喷嘴容纳部与上述气体供给喷嘴之间的间隙供给作为第二气体的惰性气体， 一边供给上述第一气体一边将上述惰性气体通过上述间隙供给至上述反应管内部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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