北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所吕晓瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210345628.X，技术领域涉及：H10W40/73；该发明授权一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构是由吕晓瑞;刘建松;孔令松;林鹏荣;王勇设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构在说明书摘要公布了：一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构，属集成电路封装散热技术领域。本发明采用芯片内嵌微流道与相变材料结合的方式实现三维叠层封装散热结构设计，芯片之间微流道通过微型管通孔实现连通，可使叠层的内部芯片热量高效传导至上层热沉或散热器，是叠层芯片封装散热的一种有效解决方案。本发明适用于凸点倒装或引线键合的三维叠层封装的散热结构的设计，也可推广应用到大功率单芯片封装散热结构的设计。
本发明授权一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构在权利要求书中公布了：1.一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构，其特征在于：包括基板1、凸点2、下层芯片3、中间层芯片4、上层芯片5、微型管6、底部填充胶7、热界面材料8、散热器9； 芯片之间和芯片与基板通过以面阵列排布的凸点2进行倒装焊接实现电气互连，芯片之间和芯片与基板1倒装后的间隙通过底部填充胶7填充； 所述下层芯片3和上层芯片5内部设置矩形腔14，下层芯片3矩形腔14的上方和上层芯片5矩形腔14的下方设置与之相连通的通孔12； 所述上层芯片5四周设置与矩形腔14相连通的通孔12，矩形腔14上方开设矩形开槽15； 所述散热器9底部设置与上层芯片5顶部矩形开槽15形状尺寸相同的开槽16，四周设置与芯片四周通孔12相对应的通孔17； 所述上层芯片5、中间层芯片4、下层芯片3、散热器9的通孔和盲孔之间通过微型管6焊接实现连通； 所述散热器9下表面通过热界面材料8与上层芯片5上表面实现密封粘接互连。
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