国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金泽大学加藤宙光获国家专利权
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龙图腾网获悉国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金泽大学申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115336006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024306.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体装置是由加藤宙光;小仓政彦;牧野俊晴;山崎聡;松本翼;德田规夫;猪熊孝夫设计研发完成，并于2021-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供一种不具有漂移层的适于高耐压的新的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于具有：第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型；源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部；源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置；栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层；所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于具有： 第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型； 源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部； 源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置； 栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层； 所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及 漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置；且 作为反转层-漏极电极间的最短距离的距离Ldg满足下述式1的条件， [式1] 其中，在所述式1中，ε表示第2半导体层的介电常数，φbi表示在所述第2半导体层与肖特基接触性的所述漏极电极之间产生的内建电势，q表示电子电荷，Nd表示所述第2半导体层中的杂质浓度。
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