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龙图腾网获悉锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种体硅金属栅极制作工艺优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211309441.0，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权一种体硅金属栅极制作工艺优化方法是由刘格致;叶甜春;陈少民;李彬鸿设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种体硅金属栅极制作工艺优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种体硅金属栅极制作工艺优化方法，其可满足金属栅极的小尺寸制作要求，可避免金属栅极的宽度不一致或宽度增加的问题出现，制作工艺步骤包括：提供衬底，在衬底上制作多晶硅栅极，在多晶硅栅极的外表面依次形成侧墙、刻蚀停止层、层间介质层，对层间介质层、刻蚀停止层、侧墙、多晶硅栅极的顶端进行依次研磨，刻蚀研磨后剩余的多晶硅栅极，形成第一固定宽度的刻蚀槽，沉积薄膜，刻蚀层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面的薄膜及刻蚀槽内底端的薄膜，刻蚀槽内的薄膜之间的宽度为第二固定宽度，沉积金属栅材料，对层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面的金属栅材料以及刻蚀槽中的金属栅材料的上部进行研磨，形成金属栅极。

本发明授权一种体硅金属栅极制作工艺优化方法在权利要求书中公布了：1.一种体硅金属栅极制作工艺优化方法，其特征在于，所述金属栅极的制作工艺步骤包括：S1、提供衬底，在所述衬底上制作多晶硅栅极； S2、在所述多晶硅栅极的外表面依次形成侧墙、刻蚀停止层、层间介质层； S3、对所述层间介质层、刻蚀停止层、侧墙、多晶硅栅极的顶端进行依次研磨； S4、刻蚀研磨后剩余的所述多晶硅栅极，形成第一固定宽度的刻蚀槽； S5、沉积薄膜，使所述薄膜覆盖在研磨后的所述层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面及所述刻蚀槽的内端面； S6、刻蚀所述层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面的薄膜及所述刻蚀槽内底端的薄膜，所述刻蚀槽内的薄膜之间间隙的宽度为第二固定宽度； 步骤S6中，采用光刻刻蚀工艺对所述薄膜进行多次刻蚀，刻蚀后获得的所述薄膜的上表面低于所述侧墙、刻蚀停止层、层间介质层的上表面； S7、沉积金属栅材料，使所述金属栅材料填充于所述刻蚀槽内，并使所述金属栅材料覆盖在所述层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面，所述刻蚀槽内的所述金属栅材料的宽度为所述第二固定宽度； S8、对所述层间介质层、刻蚀停止层、侧墙的上表面的金属栅材料以及所述刻蚀槽中的所述金属栅材料的上部进行研磨，形成金属栅极，所述金属栅极的最小宽度即为所述第二固定宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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