北京理工大学郝群获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115734629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211425533.5,技术领域涉及:H10K39/32;该发明授权CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法是由郝群;唐鑫;陈梦璐;罗宇宁设计研发完成,并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法在说明书摘要公布了:本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法,该CMOS量子点成像芯片包括基底;探测单元,设置在基底的一侧,且阵列排布;探测单元包括紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元;紫外光‑可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开;紫外光‑可见光探测子单元用于响应入射的紫外光和入射的可见光输出对应的电信号;红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的电信号。由此,在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上,将紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元结合至同一芯片,扩展了紫外光和红外光探测波段,实现了基于同一CMOS量子点成像芯片的紫外光‑可见光‑红外光宽光谱的成像探测。
本发明授权CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法在权利要求书中公布了:1.一种CMOS量子点成像芯片,其特征在于,包括: 基底; 探测单元,设置在所述基底的一侧,且阵列排布; 所述探测单元包括紫外光-可见光探测子单元和红外光探测子单元;所述紫外光-可见光探测子单元在所述基底上的垂直投影与所述红外光探测子单元在所述基底上的垂直投影间错开;所述紫外光-可见光探测子单元用于响应入射的紫外光和入射的可见光输出对应的电信号;所述红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的电信号; 金属布线层,所述红外光探测子单元连接于所述金属布线层背离所述基底的一侧; 所述紫外光-可见光探测子单元包括: 可见光探测器,设置于所述基底朝向所述金属布线层的一侧,或者设置于所述金属布线层背离所述基底的一侧,用于接收可见光并转化为对应的电信号; 紫外胶体量子点薄膜,设置在所述可见光探测器的入光面一侧,用于吸收入射的紫外光并经过光致发光生成可见光或者透过入射的可见光; 透明底电极,设置在所述紫外胶体量子点薄膜朝向所述可见光探测器的一侧; 所述可见光探测器与所述紫外胶体量子点薄膜一一对应设置; 所述红外光探测子单元在基底上的垂直投影的面积与紫外胶体量子点薄膜在基底上的垂直投影的面积均相等,且所述红外光探测子单元和所述紫外胶体量子点薄膜各自排为一排,且交替排布; 或者, 每个所述红外光探测子单元和每个所述紫外胶体量子点薄膜交替排布。
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