买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116475430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310386619.X，技术领域涉及：B22F10/28；该发明授权一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法是由程健;常庭毓;陈继祥;陈明君;赵林杰;邢云皓;卢俊文;董恩洁;王景贺;刘赫男设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法，涉及激光增材修复技术领域，为解决现有方法得到的熔覆层孔隙率较高，缺少同时对熔覆层间搭接策略和工艺参数进行优化的工艺方法的问题。本发明首先确定影响铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率的工艺参数及范围，进行单道熔覆层单因素实验，分析单道熔覆层的成型规律，确定多道多层熔覆层工艺参数范围；然后针对不同的搭接策略开展熔覆实验，确定最优熔覆层间搭接策略；最后基于最优熔覆层间搭接策略、多道多层熔覆层工艺参数范围，开展多道多层熔覆正交实验，确定最低孔隙率的工艺参数组合。基于本发明的工艺参数组合可在铝合金基材上制备出几乎无孔隙缺陷的熔覆层。

本发明授权一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率抑制工艺方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一：确定影响铝合金材料激光熔覆沉积层孔隙率的工艺参数及范围； 步骤二：根据所述的工艺参数及范围进行单道熔覆层单因素实验，检测熔覆层截面熔高H、熔深h和熔宽W和熔全高B，建立各工艺参数与参数熔高H、熔深h和熔宽W和熔全高B的关系，分析单道熔覆层的成型规律，确定多道多层熔覆层工艺参数范围； 步骤三：基于所述的多道多层熔覆层工艺参数范围，针对不同的搭接策略开展多道多层熔覆实验，检测实验结果的孔隙率，以孔隙率最小为目标确定最优熔覆层间搭接策略； 步骤四：基于所述最优熔覆层间搭接策略和所述多道多层熔覆层工艺参数范围，以工艺参数为待优化参数，熔覆层孔隙率最小为目标设计正交实验方案，根据正交实验方案开展多道多层熔覆实验，检测各组工艺参数下得到熔覆层的孔隙率，确定最低孔隙率的工艺参数组合； 步骤三中所述搭接策略包括：叠加扫描搭接策略，即上层的单道熔覆层搭接在其下层单道熔覆层的正上方；错位扫描搭接策略，即上层的单道熔覆层与其下层单道熔覆层错位搭接；交叉扫描搭接策略，即上层的单道熔覆层与其下层单道熔覆层正交搭接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。