中国人民解放军国防科技大学肖勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利用于低频宽带高效吸声的超材料单元及其超结构模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116798392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210265498.9，技术领域涉及：G10K11/162；该发明授权用于低频宽带高效吸声的超材料单元及其超结构模块是由肖勇;王帅星;温激鸿;郭佳佳;郁殿龙;赵宏刚;胡洋华;王洋;刘家玮;张振方;李永强设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于低频宽带高效吸声的超材料单元及其超结构模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于低频宽带高效吸声的超材料单元及其超结构模块，超材料单元包括多块围壁围合而成的超材料腔体以及设置在所述超材料腔体内的声学导波通道，声学导波通道内设置有阻抗高效调制吸声体，阻抗高效调制吸声体包括高孔隙率吸声介质和阻抗调制通道。阻抗调制通道的引入，可有效改变高孔隙率吸声介质的声学特性，通过改变阻抗调制通道的几何构型，可宽频大幅调制声学阻抗，同时在低频段产生共振吸收峰，从而显著改善低频段的吸声性能。将多个具有不同低频高效吸收性能的超材料单元进行并联，通过超材料单元之间的耦合作用，可以构成具有低频宽带高效吸声降噪性能的超材料模块，从而实现低频宽带高效吸声性能。
本发明授权用于低频宽带高效吸声的超材料单元及其超结构模块在权利要求书中公布了：1.用于低频宽带高效吸声的超材料单元，其特征在于，包括多块围壁围合而成的超材料腔体以及设置在所述超材料腔体内的声学导波通道，所述声学导波通道内设置有阻抗高效调制吸声体，所述阻抗高效调制吸声体包括高孔隙率吸声介质和阻抗调制通道，所述高孔隙率吸声介质覆于声学导波通道的内侧壁上，在高孔隙率吸声介质中设有一条以上的阻抗调制通道；所述阻抗调制通道的轴线方向与其所在的声学导波通道的导波方向一致，所述阻抗调制通道在平行于其声学导波通道的导波方向上的横截面形状为矩形或锥形或梯形或菱形；所述高孔隙率吸声介质填充于整个声学导波通道或者高孔隙率吸声介质从声学导波通道底部开始填充部分长度的声学导波通道。
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