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龙图腾网获悉杭州利珀科技有限公司申请的专利一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117053704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311008434.1，技术领域涉及：G01B11/14；该发明授权一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法是由邓邹超;范林峰;田治民;金秉文;王旭龙琦设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法。所述测量方法是对关于导流筒、硅料液面和导流筒在硅料液面的倒影的图像作导流筒弧和硅料液面弧的二维特征检测，根据所述导流筒弧和所述硅料液面弧的二维特征确定所述导流筒弧和所述硅料液面弧的三维坐标，利用所述导流筒弧和所述硅料液面弧的三维坐标通过空间圆拟合算法拟合出导流筒下沿空间圆和导流筒下沿倒影空间圆，根据所述导流筒下沿空间圆与所述导流筒下沿倒影空间圆之间的距离确定所述硅料绝对液距。本发明的有益效果：相比目前普遍采用的计算导流筒到其倒影的像素距离并结合抬锅来确定像素物理值转换所需的比例系数和偏移量的单目测量方法，本发明直接给出液距变化的物理量。

本发明授权一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅棒直拉工艺硅料绝对液距测量方法，其特征在于，包括： 步骤S1，提供单晶炉、双目相机结构件和离炉标定结构件；所述单晶炉包括：炉体、炉体内部的坩埚和导流筒，所述坩埚内部有硅料，所述导流筒在所述硅料液面正上方，所述炉体具有所述导流筒斜上方的相机观察窗；所述双目相机结构件包括：装置于相机基座的双目相机，所述相机基座可装拆于所述相机观察窗；所述离炉标定结构件包括：装置于直线滑轨的标定板基座、装置于所述标定板基座的标定板，所述相机基座可拆装于所述直线滑轨； 步骤S2，单晶硅棒的稳温阶段，所述双目相机依序进行拍摄调整作业和离炉标定作业； 其中，所述拍摄调整作业包括：将所述双目相机结构件移位至所述相机观察窗，所述相机基座被固定在所述相机观察窗的预设位置；调整所述双目相机的相机位姿和相机对焦，以确保所述双目相机能够清楚拍摄到所述导流筒、所述硅料液面和所述导流筒在所述硅料液面的倒影的图像；调整完成后，锁定所述双目相机与所述相机基座的相对位姿和所述双目相机的相机对焦； 其中，所述离炉标定作业包括：将所述双目相机结构件移位至所述离炉标定结构件并且对所述双目相机的位姿关系、所述双目相机与所述硅料液面的位姿关系进行标定； 步骤S3，所述离炉标定作业之后，所述双目相机进行测量作业； 其中，所述测量作业包括：将所述双目相机结构件移位至所述相机观察窗，所述相机基座重新被固定在所述相机观察窗的预设位置；所述双目相机拍摄关于所述导流筒、所述硅料液面和所述导流筒在所述硅料液面形成的倒影的图像，所述图像至少有：所述倒影两个端部位置的导流筒弧和硅料液面弧； 步骤S4，对关于所述导流筒、所述硅料液面和所述倒影的图像作所述导流筒弧和所述硅料液面弧的二维特征检测，根据所述导流筒弧和所述硅料液面弧的二维特征确定所述导流筒弧和所述硅料液面弧的三维坐标，利用所述导流筒弧和所述硅料液面弧的三维坐标通过空间圆拟合算法拟合出导流筒下沿空间圆和导流筒下沿倒影空间圆，根据所述导流筒下沿空间圆与所述导流筒下沿倒影空间圆之间的距离确定所述硅料绝对液距。

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