浙江大学杭州国际科创中心卢慧获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种利用循环加热制备石墨烯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117303355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311338476.1，技术领域涉及：C01B32/188；该发明授权一种利用循环加热制备石墨烯的方法是由卢慧;王昊霖;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用循环加热制备石墨烯的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体薄膜技术领域，提供了一种利用循环加热制备石墨烯的方法，通过在真空或者具有保护气氛的环境下，对碳化硅衬底进行多次循环加热，其中，每次加热的过程为：先以第一温度加热第一预定时间，使得位于碳化硅衬底表面的硅原子升华，而剩下的碳原子在碳化硅表面发生迁移聚集；再以第二温度加热第二预定时间，使得在碳化硅表面发生迁移聚集的碳原子进一步发生反应形成石墨烯；最终使得所述碳化硅衬底表面的硅原子充分升华、碳原子充分反应形成石墨烯，从而获得大面积且质量好的石墨烯。
本发明授权一种利用循环加热制备石墨烯的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用循环加热制备石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供碳化硅衬底； 在真空或者具有保护气氛的环境下，对所述碳化硅衬底进行加热，其中，加热过程为：先以第一温度加热第一预定时间，使得位于所述碳化硅衬底表面的硅原子升华，而剩下的碳原子在碳化硅表面发生迁移聚集；再以第二温度加热第二预定时间，使得在所述碳化硅表面发生迁移聚集的碳原子进一步发生反应形成石墨烯； 重复多次所述加热过程对所述碳化硅衬底进行循环加热，使得所述碳化硅衬底表面的硅原子充分升华、碳原子充分反应形成石墨烯； 所述第一温度范围为900℃-1000℃，所述第二温度范围为1400℃-1500℃； 所述第一预定时间范围和第二预定时间范围都为10min-15min。
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