华为技术有限公司黄凯亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117651421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211003741.6，技术领域涉及：H10B53/20；该发明授权存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备是由黄凯亮;景蔚亮;孙莹;王正波;廖恒设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域。存储阵列包括：衬底和存储单元子阵列。存储单元子阵列包括：叠层结构、第一沟道层、第一栅介质层及第一栅极。叠层结构包括导电层和存储功能层，导电层包括导电块，相邻两个导电块之间设置有存储功能层，相邻两个导电块和存储功能层形成存储单元。第一沟道层与存储单元相对应，第一沟道层的至少部分位于叠层结构的侧壁上，与存储单元中相邻两个导电块及存储功能层相接触。相邻两个导电块和第一沟道层、第一栅介质层、第一栅极形成第一晶体管。存储阵列呈3D架构，第一晶体管为垂直沟道结构场效应晶体管，便于增大存储单元和第一晶体管的数量，提高存储密度。
本发明授权存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：衬底和位于所述衬底上的多个存储单元子阵列； 所述存储单元子阵列包括： 叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向层叠设置的多层导电层和多个存储功能层，所述导电层包括沿第二方向间隔设置的多个导电块，相邻两个导电块之间设置有所述存储功能层，所述相邻两个导电块和位于所述相邻两个导电块之间的存储功能层形成存储单元；所述第一方向垂直于所述衬底，所述第二方向平行于所述衬底； 与所述存储单元相对应的第一沟道层，所述第一沟道层的至少部分位于所述叠层结构的侧壁上，且与所述存储单元中的相邻两个导电块及存储功能层相接触； 覆盖所述第一沟道层的第一栅介质层；及， 位于所述第一栅介质层远离所述第一沟道层一侧的第一栅极；所述相邻两个导电块和所述第一沟道层、所述第一栅介质层、所述第一栅极形成第一晶体管。
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