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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117727823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311810358.6，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法是由王玉;褚克成;叶培飞;张银桥;叶伟民;丁杰;周珊设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法，包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对AlxxGa1‑x1‑xAsAlyyGa1‑y1‑yAs组合层，所述AlxxGa1‑x1‑xAsAlyyGa1‑y1‑yAs组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的厚度的0.5％～2％，从而增加了DBR有效反射带宽，将未能被中电池吸收且能量高于中电池禁带宽度的光子反射回中电池再次吸收，改善了中电池厚度减薄所导致的长波段EQE下降的问题，在获得较好的辐照特性的同时获得高的光吸收效率，提高了太阳能电池的综合性能。

本发明授权一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含DBR结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构用于反射所述InGaAs中电池的吸收波段的光子；所述InGaAs中电池由下至上包括p-AlGaAs背场层、p-InGaAs基区、n-InGaAs发射区、n-GaInP窗口层；所述p-InGaAs基区的厚度小于2μm； 所述DBR结构包括交替叠设的若干组AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs组合层，0.85≤x＜1,0＜y≤0.15；每组AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs组合层形成一对DBR，所述DBR结构的对数为10~16对；所述DBR结构采用P型掺杂，掺杂浓度为1E18-4E18cm-3；所述AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs组合层的厚度按照叠设顺序单调均匀递减，每一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层厚度的0.5%~2%；第一对DBR的中心反射波长为880~900nm；所述DBR结构的有效反射带宽为130~150nm。

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