华为技术有限公司张露获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117747618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211113859.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片是由张露;黄元琪;温雅楠;吴俊慷;丁泊宁;赵智彪;许俊豪设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片，该半导体器件包括：衬底层，第一场效应晶体管，分隔层以及第二场效应晶体管；第一场效应晶体管包括第一沟道，第二场效应晶体管包括第二沟道，第一沟道的成分与第二沟道的成分不同；第二场效应晶体管、分隔层以及第一场效应晶体管沿衬底层的高度方向依次堆叠，第一场效应晶体管堆叠在衬底层的表面；分隔层的成分含量沿垂直于衬底层的方向渐变，分隔层的成分与第一沟道的成分以及第二沟道的成分有关联关系，分隔层的成分为半导体材料。通过上述器件，本申请能够降低N型FET与P型FET之间的晶格失配程度。
本发明授权半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底层，第一场效应晶体管，分隔层以及第二场效应晶体管； 所述第一场效应晶体管包括第一沟道，所述第二场效应晶体管包括第二沟道，所述第一沟道的成分与所述第二沟道的成分不同； 所述第二场效应晶体管、所述分隔层以及所述第一场效应晶体管沿所述衬底层的高度方向依次堆叠，所述第一场效应晶体管堆叠在所述衬底层的表面； 所述分隔层的成分含量沿垂直于所述衬底层的方向渐变，所述分隔层的成分与所述第一沟道的成分以及所述第二沟道的成分有关联关系，所述分隔层的成分为半导体材料。
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