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龙图腾网获悉华为技术有限公司;复旦大学申请的专利静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211175101.3，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备是由丁荣正;俞少峰;朱小娜;詹士杰;吴颖;许俊豪设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备，包括：第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管、第二下拉管、第一选通管以及第二选通管；第一上拉管与第一下拉管作为第一互补场效应晶体管，第二上拉管与第二下拉管作为第二互补场效应晶体管，第一互补场效应晶体管在第一平面上的正投影、第一选通管在第一平面上的正投影、第二选通管在第一平面上的正投影以及第二互补场效应晶体管在第一平面上的正投影沿第一方向依次间隔排列；第一互补场效应晶体管、第一选通管在第二平面上的正投影与第二互补场效应晶体管、第二选通管在第二平面上的正投影间隔排列，提供新型结构的存储单元，提高存储单元的性能。

本发明授权静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存储器，其特征在于，包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元包括： 设置于衬底上的第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管、第二下拉管、第一选通管以及第二选通管；其中，所述第一上拉管与所述第一下拉管作为第一互补场效应晶体管，所述第二上拉管与所述第二下拉管作为第二互补场效应晶体管，所述第一互补场效应晶体管在第一平面上的正投影、所述第一选通管在所述第一平面上的正投影、所述第二选通管在所述第一平面上的正投影以及所述第二互补场效应晶体管在所述第一平面上的正投影沿第一方向依次间隔排列；并且，所述第一互补场效应晶体管在所述衬底的正投影与所述第一选通管在所述衬底的正投影沿所述第一方向排列于一条直线上，所述第二互补场效应晶体管在衬底的正投影与所述第二选通管在所述衬底的正投影沿所述第一方向排列于另一条直线上，所述第一互补场效应晶体管在第二平面上的正投影与所述第二互补场效应晶体管在所述第二平面上的正投影间隔排列；所述第一方向和第二方向平行于所述衬底所在平面且相互交叉设置，第三方向垂直于所述衬底所在平面，所述第一平面平行于所述第一方向和所述第三方向，所述第二平面平行于所述第二方向和所述第三方向； 所述存储单元分别与字线、第一位线以及第二位线连接；其中，所述字线沿所述第一方向延伸，所述第一位线与所述第二位线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;复旦大学，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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