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龙图腾网获悉先导薄膜材料(广东)有限公司申请的专利一种导电In2Se3靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311729908.1，技术领域涉及：C04B35/547；该发明授权一种导电In2Se3靶材及其制备方法是由沈文兴;白平平;童培云设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种导电In2Se3靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体领域，具体涉及一种导电In22Se33靶材的制备方法，包括如下方法：步骤1：将Cu22Se粉末和In22Se33粉末混合，得到混合粉末；步骤2：将混合粉末进行模压，得到靶坯；步骤3：在真空炉中，于真空状态下升温至700～800℃，然后真空状态下，保温30～60min；接着将炉内压力升高到35～40MPa，保温60～90min；保温结束后降压并停止加热得到靶材；所述Cu22Se粉末占Cu22Se粉末和In22Se33粉末总重量的2～10％。该方法通过控制Cu22Se的掺杂量，同时通过变压恒温的方式，可以得到相对密度大于96％，优选大于97％、阻率小于1250KΩcm，优选小于900KΩcm的产品。此外，本发明还提供了一种导电In22Se33靶材。

本发明授权一种导电In2Se3靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种导电In2Se3靶材的制备方法，其特征在于，包括如下方法： 步骤1：将Cu2Se粉末和In2Se3粉末混合，得到混合粉末； 步骤2：将混合粉末进行模压，得到靶坯； 步骤3：在真空炉中，于真空状态下升温至700～800℃，然后真空状态下，保温30～60min；接着将炉内压力升高到35～40MPa，保温60～90min；保温结束后降压并停止加热得到靶材； 所述Cu2Se粉末占Cu2Se粉末和In2Se3粉末总重量的2～10%； 所述步骤1中的混合方法为：将Cu2Se粉末和In2Se3粉末先在双运动混合机中进行第一次均质，然后在三维均质机中进行第二次均质； 所述步骤3中，于真空状态下以5～10℃min的升温速度升温至700～800℃； 所述Cu2Se粉末的规格为：D10小于2微米，D50小于5微米，D90小于10微米； 所述In2Se3粉末的规格为：D10小于5微米，D50小于10微米，D90小于25微米； Cu2Se粉末和In2Se3粉末的氧含量均小于700ppm； 所述导电In2Se3靶材的相对密度大于97%、电阻率小于900kΩcm。

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