湖北九峰山实验室陈伟获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411262429.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法是由陈伟;郭飞;成志杰;王宽;吴阳阳;袁俊设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P‑base区以及源极区依次设于N型衬底的一侧；漏电极设于N型衬底的另一侧；N积累型沟道设于P‑base区的沟槽的内表面，且分别与栅极区、P‑base区以及N通道接触；沟槽的深度小于P‑base区厚度；N通道设于沟槽的下表面，贯穿P‑base区，且分别与N型外延层、栅极区以及N积累型沟道接触；栅极区设于沟槽的内部，分别与N通道、N积累型沟道以及源极区接触。如此，通过构造比沟槽更深的P‑base区，以及N积累型沟道和底部的N通道形成的导电通道，改善了器件的导通特性同时对栅极区起到良好的保护作用。
本发明授权一种宽禁带沟槽型MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：N型衬底、N型外延层、N通道、N积累型沟道、P-base区、源极区、漏电极以及栅极区； 所述N型外延层、所述P-base区以及所述源极区依次设于所述N型衬底的一侧；所述漏电极设于所述N型衬底的另一侧； 所述N积累型沟道设于所述P-base区的沟槽的内表面，且分别与所述栅极区、所述P-base区以及所述N通道接触；所述沟槽的深度小于所述P-base区厚度； 所述N通道设于所述沟槽的下表面，贯穿所述P-base区，且分别与所述N型外延层、所述栅极区以及所述N积累型沟道接触； 所述栅极区设于所述沟槽的内部，分别与所述N通道、所述N积累型沟道以及所述源极区接触； 所述N通道的N型掺杂浓度高于所述N积累型沟道的N型掺杂浓度； 所述沟槽底部，所述N积累型沟道内部设有屏蔽区；所述屏蔽区与所述N通道连接。
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