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龙图腾网获悉北京邮电大学申请的专利一种中波红外探测芯片及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279569.6，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种中波红外探测芯片及系统是由周峰;李明洛;杨雪艳;关晓宁设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中波红外探测芯片及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种中波红外探测芯片及系统，所述芯片由同一平面内布设的多个检测单元构成，所述检测单元依次由衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层组成，所述芯片基于nBp型结构设置，缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层均采用多周期层叠布置的超晶格结构，通过控制每个周期内层叠布置多层InAs掺杂层和GaSb掺杂层的厚度、层数和掺杂浓度，以实现在中红外探测过程中对暗电流的抑制，并且有效提高量子效率。

本发明授权一种中波红外探测芯片及系统在权利要求书中公布了：1.一种中波红外探测芯片，其特征在于，所述中波红外探测芯片由同一平面内布设的多个检测单元构成，所述检测单元包括： 衬底； 缓冲层，生长设置在所述衬底上，采用镓锑p型掺杂材料，掺杂浓度为1×1015~1×1018cm-3； 下接触层，生长在所述缓冲层上，所述下接触层为多周期层叠布置，每个周期包含连续设置的9ML9ML结构的第一InAs掺杂层和第一GaSb掺杂层；所述下接触层为p型掺杂，所述第一InAs掺杂层和所述第一GaSb掺杂层掺杂浓度为1×1016~1×1018cm-3； 吸收层，生长在所述下接触层上，所述吸收层为多周期层叠布置，每个周期包含连续设置的9ML9ML结构的第二InAs掺杂层和第二GaSb掺杂层；所述吸收层为p型掺杂，所述第二InAs掺杂层和所述第二GaSb掺杂层掺杂浓度为1×1015~5×1016cm-3； 势垒层，生长在所述吸收层上，所述势垒层为多周期层叠布置，每个周期包含连续设置的12ML7ML结构的第三InAs掺杂层和第三GaSb掺杂层；所述势垒层为n型掺杂，所述第三InAs掺杂层和所述第三GaSb掺杂层掺杂浓度为1×1015~1×1018cm-3； 上接触层，生长在所述势垒层上，所述势垒层为多周期层叠布置，每个周期包含连续设置的5ML4ML结构的第四InAs掺杂层和第四GaSb掺杂层；所述上接触层为n型掺杂，所述第四InAs掺杂层和所述第四GaSb掺杂层掺杂浓度为1×1016~1×1018cm-3。

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