合肥工业大学于永强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种协同陷光效应的MXene-Si-MXene范德瓦尔斯光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411379916.2，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种协同陷光效应的MXene-Si-MXene范德瓦尔斯光电探测器是由于永强;王晨;卢云博;谢思艺;徐浩岚;赵亚琪;孙洋洋设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种协同陷光效应的MXene-Si-MXene范德瓦尔斯光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种协同陷光效应的MXene‑Si‑MXene范德瓦尔斯光电探测器，是以单晶硅为衬底，在衬底表面形成有一对间隔设置的图案化MXene薄膜；每个图案化MXene薄膜的结构皆包括一个电极部，和从电极部的一边朝向另一图案化MXene薄膜一体化延伸出的功能部；两图案化MXene薄膜的功能部之间的间隔形成沟道，两功能部与沟道内的硅构成MXene‑Si‑MXene范德瓦尔斯结构；在沟道内设置有MXene薄层从而形成协同陷光效应。本发明所制备的探测器具有响应度大、响应速度快、稳定性好，探测率高等优势，同时还具有易制备、成本低等优点。
本发明授权一种协同陷光效应的MXene-Si-MXene范德瓦尔斯光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种协同陷光效应的MXene-Si-MXene范德瓦尔斯光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是以单晶硅1为衬底，在衬底表面形成有一对间隔设置的图案化MXene薄膜；每个图案化MXene薄膜的结构皆包括一个电极部2，和从电极部的一边朝向另一图案化MXene薄膜一体化延伸出的功能部3；两图案化MXene薄膜的功能部之间的间隔形成沟道，两功能部与沟道内的硅构成MXene-Si-MXene范德瓦尔斯结构；在所述沟道内设置有MXene薄层4从而形成协同陷光效应；所述图案化MXene薄膜的厚度为1μm~5μm；所述MXene薄层的厚度为0.1~0.3μm。
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