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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119324152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310863828.9，技术领域涉及：H10P14/44；该发明授权Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅是由张大勇;苏永波;金智设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅在说明书摘要公布了：本公开提供了一种Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅，可以应用于微电子技术领域。该方法包括：对位于衬底上表面的第一电子束光刻胶进行深紫外光照射处理，得到第一光刻胶层；在第一光刻胶层表面旋涂第二电子束光刻胶，得到第二光刻胶层；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行第一次曝光显影操作，得到Y型栅的栅帽结构；对经过第一次曝光显影操作后的第一光刻胶层进行第二次曝光显影操作，得到Y型栅的栅脚结构；利用金属蒸发方法，将目标金属材料填充至栅帽结构和栅脚结构中，得到Y型栅。

本发明授权Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅在权利要求书中公布了：1.一种Y型栅的制备方法，包括： 对位于衬底上表面的第一电子束光刻胶进行深紫外光照射处理，得到第一光刻胶层，包括：利用所述深紫外光照射处理，将所述第一电子束光刻胶的分子量降解，得到所述第一光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层中所述第一电子束光刻胶的分子量的降解程度从上往下逐渐降低； 在所述第一光刻胶层表面旋涂第二电子束光刻胶，得到第二光刻胶层，其中，所述第二电子束光刻胶的灵敏度高于所述第一电子束光刻胶； 对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行第一次曝光显影操作，得到Y型栅的栅帽结构，包括：基于对所述第二光刻胶层设定的第一曝光尺寸，对所述第二光刻胶层进行曝光操作，得到所述第二光刻胶层的第一曝光区域；利用第一显影液，对所述第二光刻胶层的所述第一曝光区域进行显影操作，得到所述第二光刻胶层的所述显影结构；在得到所述显影结构之后，利用所述第一显影液，基于所述第一光刻胶层中所述第一电子束光刻胶的分子量的降解程度，对所述第一光刻胶层进行显影操作，得到所述栅帽结构，其中，所述栅帽结构为倒梯形结构； 对经过所述第一次曝光显影操作后的第一光刻胶层进行第二次曝光显影操作，得到所述Y型栅的栅脚结构，包括：基于对所述第一光刻胶层设定的第二曝光尺寸，对经过所述第一次曝光显影操作后的第一光刻胶层进行曝光操作，得到所述第二光刻胶层的第二曝光区域；利用第二显影液，对所述第二曝光区域进行显影操作，得到所述栅脚结构； 利用金属蒸发方法，将目标金属材料填充至所述栅帽结构和所述栅脚结构中，得到所述Y型栅。

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