苏州大学孙宝全获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119324676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411381335.2，技术领域涉及：H02S50/10；该发明授权晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置是由孙宝全;王玉生;邢春芳;杨新波;宋涛设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池损耗表征技术领域，尤其是指晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置，所述表征方法包括：将晶硅太阳能电池沿着晶面切成面积大小不同的多个子电池，并使所述多个子电池处于开路状态，在不同位置处激发每个子电池中的载流子，获取多个小扰动瞬态光电压；基于所述多个小扰动瞬态光电压，得到多个子电池的载流子寿命；根据所述多个子电池的载流子寿命，得到切片后子电池边缘损伤程度的评估结果。本发明利用小光学微扰进行无损测试，通过测量不同位置处的小扰动瞬态光电压，该技术能够精确地捕捉到切片过程中引起的边缘损伤对电池性能的影响，进而准确评估边缘损耗程度。
本发明授权晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将晶硅太阳能电池沿着晶面切成面积大小不同的多个子电池，并使所述多个子电池处于开路状态，在不同位置处激发每个子电池中的载流子，获取多个小扰动瞬态光电压； S2：基于所述多个小扰动瞬态光电压，得到多个子电池的载流子寿命，其方法包括： S21：基于所述多个小扰动瞬态光电压，得到瞬态光电压图谱； S22：根据所述载流子寿命τ的拟合表达式，拟合所述瞬态光电压图谱，得到多个子电池的载流子寿命； 其中，为测试过程中相应的时间点t处的瞬态光生电压，为小扰动瞬态光电压的饱和值； S3：根据所述多个子电池的载流子寿命，得到切片后子电池边缘损伤程度的评估结果。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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