同济大学孙勇获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统及转换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411710240.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统及转换方法是由孙勇;马宇波;齐心;余晔;任咪娜;郭志伟;江海涛;羊亚平;陈鸿设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统及转换方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统及转换方法，该转换系统包括具有x偏振模式和y偏振模式的双端口模型，该双端口模型满足两个偏振模式具有相同的共振频率ω00、辐射损耗γ和本征损耗Γ，两个偏振模式之间具有一定耦合强度κ，且该共振频率ω00、辐射损耗γ、本征损耗Γ和耦合强度κ的大小满足在仅向该双端口模型双侧发射x偏振波y偏振波时，对应的出射x偏振波y偏振波为0，以使该双端口模型形成为具有最大线偏振转换效率的等效PT对称超表面结构。本发明利用基于等效增益的PT对称超表面实现电磁波偏振转换，无需材料具有真实增益或要求结构中振子的损耗不同，能简化材料使用和结构设计。
本发明授权基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统及转换方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非厄米超表面的电磁波偏振转换系统，其特征在于，包括具有x偏振模式和y偏振模式的双端口模型，所述双端口模型满足两个偏振模式具有相同的共振频率、辐射损耗和本征损耗，两个偏振模式之间具有一定耦合强度，且所述共振频率、辐射损耗、本征损耗和耦合强度的大小满足在仅向所述双端口模型双侧发射x偏振波或y偏振波时，对应的出射x偏振波或y偏振波为0，以使所述双端口模型形成为具有最大线偏振转换效率的等效PT对称超表面结构；其中，所述双端口模型包括阵列排布的若干单元结构，所述单元结构由第一x向金属线和第一y向金属线呈十字交叉组成，且所述第一x向金属线和所述第一y向金属线中的至少一个偏离对应所述单元结构的中心点，且偏离距离满足所述耦合强度的大小要求。
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