浙江创芯集成电路有限公司陈聪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311027556.5，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈聪;郭东谕;李扬;李平;宋喆宏;吴正隆设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：基底，包括多个芯片区域以及用于分隔各芯片区域的划片道，其中，所述划片道上形成有凹槽结构；测试结构，适于对所述芯片区域进行电性能测试，所述测试结构包括第一测试部和第二测试部，其中，所述第一测试部嵌入所述凹槽结构内，所述第二测试部位于所述第一测试部之上。采用上述方案，能够避免测试结构剥离划片道，提高半导体结构性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括多个芯片区域以及用于分隔各芯片区域的划片道，其中，所述划片道上形成有凹槽结构； 测试结构，适于对所述芯片区域进行电性能测试，所述测试结构包括第一测试部和第二测试部，其中，所述第一测试部嵌入所述凹槽结构内，所述第二测试部位于所述第一测试部之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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