长江存储科技有限责任公司金翀获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器、存储器的操作方法以及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119580785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311153979.1，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权存储器、存储器的操作方法以及存储器系统是由金翀设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器、存储器的操作方法以及存储器系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器、存储器的操作方法以及存储器系统，涉及存储器技术领域，旨在提高固件的安全性。其中，存储器包括页缓冲器，页缓冲器包括感测锁存电路、第一充电电路和读取校准电路。第一充电电路与感测锁存电路耦接到感测节点，读取校准电路的第一端耦接到感测锁存电路，读取校准电路的第二端耦接到感测节点，被配置为在感测过程中对感测节点的电位进行校准。上述存储器应用于感测过程中对感测节点的电位的校准过程。
本发明授权存储器、存储器的操作方法以及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括页缓冲器，所述页缓冲器包括： 感测锁存电路； 第一充电电路，所述第一充电电路耦接到感测节点； 读取校准电路，所述读取校准电路的第一端耦接到所述感测锁存电路，所述读取校准电路的第二端耦接到所述感测节点，被配置为在感测过程中对所述感测节点的电位进行校准； 所述感测过程包括校准阶段，所述读取校准电路包括第一子电路和第二子电路，所述第一子电路被配置为在所述校准阶段的第一子阶段，将所述感测节点从第一电压值放电至第二电压值，所述第二子电路被配置为在所述校准阶段的第二子阶段，将所述感测节点从所述第二电压值充电至第三电压值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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