浙江创芯集成电路有限公司程勇鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311521387.0，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权气相沉积设备是由程勇鹏;郑隆跃;张严设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本气相沉积设备在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供一种气相沉积设备，包括：沉积腔室，其上部设置有开口，以供反应气体输入；至少一个承载平台，设置于沉积腔室内，适于承载晶圆；喷洒装置，设置于沉积腔室内，与承载平台相对设置，且与开口相连通，适于向晶圆表面喷洒反应气体，以在晶圆表面形成沉积薄膜；加热装置，设置于相应的承载平台下方，适于为相应的晶圆提供热量；加热装置包括多个加热元件，各加热元件与不同的电源连接，且各加热元件连接的电源的电压值与反应气体参数、相应加热元件的阻值，以及沉积薄膜的物理参数、沉积薄膜与相应承载平台的中心位置间的距离、初始温度、沉积时间有关。采用上述设备，能够提高晶圆表面沉积薄膜厚度的均匀性。
本发明授权气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括： 沉积腔室，其上部设置有开口，以供反应气体输入； 至少一个承载平台，设置于所述沉积腔室内，适于承载晶圆，且所述承载平台的中心与所述晶圆的中心位于同一轴线上； 喷洒装置，设置于所述沉积腔室内，与所述承载平台相对设置，且与所述开口相连通，适于向晶圆表面喷洒所述反应气体，以在所述晶圆表面形成沉积薄膜； 加热装置，设置于相应的承载平台下方，适于为相应的晶圆提供热量；所述加热装置包括多个加热元件，各加热元件与不同的电源连接，且各加热元件连接的电源的电压值与所述反应气体参数、相应加热元件的阻值，以及所述沉积薄膜的物理参数、所述沉积薄膜与相应承载平台的中心位置间的距离、初始温度、沉积时间有关。
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