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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026308.1，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构是由李享成;姜立波;乔梦珂;陈平安;朱颖丽设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构。其技术方案是：所述低层数一维红外低发射率膜系结构是由一个一维λ4周期性光子晶体结构和一个准周期性光子晶体结构复合构成，所述一维λ4周期性光子晶体结构的末层和准周期性光子晶体结构的顶层相接。所述低层数一维红外低发射率膜系结构用下式表达：AB22CD55；其中：AB22表示一维λ4周期性光子晶体结构，AB表示Ge和ZnO依次排列的一个子周期性光子晶体结构；CD55表示准周期性光子晶体结构，CD表示Ge和ZnO依次排列的一个子准周期性光子晶体结构。本发明具有层数少、生产周期短、可靠性高、能实现双波段低发射和极化与入射角不敏感的特点。

本发明授权极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构在权利要求书中公布了：1.一种极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构，其特征在于： 所述极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构是由一个一维λ4周期性光子晶体结构和一个准周期性光子晶体结构复合构成，所述一维λ4周期性光子晶体结构的末层和准周期性光子晶体结构的顶层贴合； 所述极化与入射角不敏感的低层数一维红外低发射率膜系结构用下式表达： AB2CD51 式1中： AB2表示一维λ4周期性光子晶体结构，其中： AB表示Ge和ZnO依次排列的一个子周期性光子晶体结构， 2表示所述子周期性光子晶体结构为2个； CD5表示准周期性光子晶体结构，其中： CD表示Ge和ZnO依次排列的一个子准周期性光子晶体结构， 5表示所述子准周期性光子晶体结构为5个； 所述A表示材料为Ge，厚度为200~250nm； 所述B表示材料为ZnO，厚度为500~550nm； 所述C表示材料为Ge，厚度为600~900nm； 所述D表示材料为ZnO，厚度为1100~1800nm。

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