北京智芯微电子科技有限公司郁文获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411740320.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及制造方法、芯片、电子设备是由郁文;赵东艳;吴波;陈燕宁;邵瑾;刘芳;王凯;邓永峰;赵扬;许玉洁;左阿惠设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造方法、芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，提供一种半导体器件及制造方法、芯片、电子设备。半导体器件包括：衬底、阱区、缓冲区、源区、漏区、介质层以及栅极，阱区、缓冲区、源区及漏区位于衬底上，源区形成于阱区的表面，漏区形成于缓冲区的表面。介质层包括高介电常数材料的第一介质层以及低介电常数材料的第二介质层，第一介质层位于阱区与缓冲区之间的衬底的表面，并延伸至阱区的表面；栅极位于第一介质层的表面，第二介质层位于缓冲区和漏区的表面。本发明利用高介电常数材料的第一介质层，在阱区与缓冲区之间的衬底内形成反型沟道，降低导通电阻；通过缓冲区提高漏端的击穿电压，通过低介电常数材料的第二介质层降低栅漏电容，同时增加栅极与漏端的耐压特性。
本发明授权半导体器件及制造方法、芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、阱区、缓冲区、源区、漏区、介质层以及栅极，所述阱区、缓冲区、源区及漏区位于所述衬底上，所述源区形成于所述阱区的表面，所述漏区形成于所述缓冲区的表面，所述阱区与所述缓冲区之间通过衬底材料相隔； 所述介质层包括高介电常数材料的第一介质层以及低介电常数材料的第二介质层，所述第一介质层的材料的介电常数k3.9，所述第二介质层的材料的介电常数k≤2.8； 所述第一介质层位于所述阱区与所述缓冲区之间的衬底的表面，并延伸至所述阱区的表面； 所述栅极位于所述第一介质层的表面； 所述第二介质层位于所述缓冲区和所述漏区的表面，所述第二介质层的一端与所述栅极以及所述第一介质层的一端相接，所述第二介质层的另一端与所述漏区相接。
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