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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利组合图案的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411998910.3，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权组合图案的刻蚀方法是由沙帅设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本组合图案的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种组合图案的刻蚀方法，应用于半导体器件中，半导体器件包括衬底及位于衬底上沿垂直衬底方向依次层叠的导电层、介质层、掩膜层和光刻胶层，导电层包括多个金属电极，组合图案包括至少一个沟槽和至少一个通孔，方法包括：以目标刻蚀气压对半导体器件进行刻蚀；输入目标比例的主刻蚀气体和惰性气体，以缩小组合图案中每个沟槽或通孔之间的刻蚀速度差异，使组合图案中每个沟槽或通孔暴露出至少一个金属电极。至少能够通过刻蚀气压和输入目标比例的主刻蚀气体和惰性气体的方式，平衡组合图案之间的刻蚀速率，避免了刻蚀形成的沟槽和或通孔处出现极大的负载，也避免了对半导体器件的关键电性数据的影响。

本发明授权组合图案的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种组合图案的刻蚀方法，其特征在于，应用于半导体器件中，所述半导体器件包括衬底及位于衬底上沿垂直衬底方向依次层叠的导电层、介质层、掩膜层和光刻胶层，所述导电层包括多个金属电极，所述组合图案包括至少一个沟槽和至少一个通孔； 其中，所述方法包括： 以目标刻蚀气压对所述半导体器件进行刻蚀； 输入目标比例的主刻蚀气体和惰性气体，以缩小组合图案中每个沟槽或通孔之间的刻蚀速度差异，使组合图案中每个沟槽或通孔暴露出至少一个金属电极； 所述半导体器件还包括底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层位于所述光刻胶层与所述掩膜层之间； 其中，通过以下步骤确定所述主刻蚀气体和所述惰性气体的目标比例： 在去除底部抗反射涂层时，获取不同输入比例的所述主刻蚀气体和所述惰性气体时组合图案之间的刻蚀速率差异； 将组合图案之间的刻蚀速率差异最小时的主刻蚀气体和惰性气体之间的输入比例，确定为所述主刻蚀气体和所述惰性气体的目标比例； 所述主刻蚀气体和所述惰性气体之间的目标比例为1至12之间； 所述目标刻蚀气压为30mT-90mT。

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