新存科技(武汉)有限责任公司邱雅琪获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利电学距离区域的划分方法、数据写入方法及存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411936637.1，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权电学距离区域的划分方法、数据写入方法及存储设备是由邱雅琪;周光乐;杨海波;匡睿;丁航晨设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本电学距离区域的划分方法、数据写入方法及存储设备在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路领域，公开了一种电学距离区域的划分方法、数据写入方法及存储设备。电学距离区域的划分方法包括：在裸片上绘制电阻变化线；其中，电阻变化线上包括多个采样点；不同采样点具有不同的电阻；对裸片进行电性测试，记录多个采样点的测试值；其中，测试值表征采样点中的存储单元的复位状况；基于多个采样点的测试值，将裸片划分为多个电学距离区域。
本发明授权电学距离区域的划分方法、数据写入方法及存储设备在权利要求书中公布了：1.一种电学距离区域的划分方法，应用于相变存储器，其特征在于，包括： 基于晶圆可接受度测试中的线电阻，在裸片上绘制电阻变化线；其中，所述电阻变化线上包括多个采样点，不同所述采样点具有不同的电阻；所述线电阻包括：位线线电阻和字线线电阻； 对所述裸片进行电性测试，记录多个所述采样点的测试值；其中，所述测试值表征所述采样点中的存储单元的复位状况； 基于多个所述采样点的所述测试值，将所述裸片划分为多个电学距离区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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