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龙图腾网获悉江西万年芯微电子有限公司申请的专利半导体导线焊接加工方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510077478.2，技术领域涉及：H10W72/59；该发明授权半导体导线焊接加工方法及半导体器件是由吴昊如;朱锦辉;艾育林;詹炜狄设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体导线焊接加工方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体导线焊接加工方法及半导体器件，该导线焊接加工方法在基岛与内引脚之间焊接相交的第一导线及第二导线，其中一根导线通过扁平焊球与基岛进行焊接、另一根导线通过扁平焊球与内引脚进行焊接，两根导线分别向中轴线两侧进行偏转且与分隔线之间的夹角均为锐角，使用熔化的塑封料沿模流通道流入模腔并包裹两根导线，第二导线在交点处位于靠近塑封料输入的方向。上述的导线焊接加工方法，通过焊接加工得到相交的两根导线，并沿特定的模流方向注入塑封料，利用两根导线在分隔线方向的形变区别使两根线的相交位置接触更加紧密，即使鱼尾焊点脱落亦不影响基岛与外引线之间的电连接，大幅提升了半导体器件中导线焊接的可靠性。

本发明授权半导体导线焊接加工方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体导线焊接加工方法，其特征在于，所述导线焊接加工方法包括： 将第一导线焊接于基岛与内引脚之间，所述第一导线与所述基岛之间通过扁平焊球及烧球工艺进行焊接形成金属共晶化合物； 将第二导线焊接于所述基岛与所述内引脚之间，所述第二导线与所述内引脚之间通过扁平焊球及烧球工艺进行焊接形成金属共晶化合物，所述第二导线由所述第一导线上方跨过并与所述第一导线相交形成交点； 或者是，将第二导线焊接于所述基岛与所述内引脚之间，所述第二导线与所述基岛之间通过扁平焊球及烧球工艺进行焊接形成金属共晶化合物； 将第一导线焊接于基岛与内引脚之间，所述第一导线与所述内引脚之间通过扁平焊球及烧球工艺进行焊接形成金属共晶化合物，所述第一导线由所述第二导线上方跨过并与所述第二导线相交形成交点； 以及，使用熔化的塑封料沿模流通道进入模具的模腔并包裹所述第一导线及所述第二导线；所述塑封料进入所述模具的模流方向为所述内引脚一侧依次通过第一导线与第二导线的方向；所述第二导线在所述交点处位于靠近所述塑封料输入的方向；所述第二导线与所述第一导线在所述基岛与所述内引脚之间的间隙处相交并电连接，所述第二导线的长度大于所述第一导线；所述第一导线及所述第二导线分别向中轴线两侧进行偏转，所述中轴线为两根导线交点向基岛及内引脚两侧进行延伸形成的直线；所述第一导线沿顺时针旋转第一夹角即与分隔线重合，所述第二导线沿逆时针方向旋转第二夹角即与所述分隔线重合，所述分隔线为对所述基岛与所述内引脚的间隙进行分隔且与所述中轴线相垂直的直线；所述第一夹角及所述第二夹角均为锐角。

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