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龙图腾网获悉无锡湃得恩科技有限公司申请的专利图形化设备和图形化设备的图印方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410748567.0，技术领域涉及：H10P72/30；该发明授权图形化设备和图形化设备的图印方法是由请求不公布姓名;耿菲;邵玉林设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形化设备和图形化设备的图印方法在说明书摘要公布了：本发明属于光伏、半导体设备技术领域，提供了一种图形化设备和图形化设备的图印方法，图形化设备包括上料工位，包括上料缓存区和降温装置，上料缓存区设有多个上料子工位，降温装置设于上料缓存区，降温装置适于对上料缓存区降温；图印工位，包括喷墨单元，喷墨单元适于向基片喷射液态热熔墨滴以制备掩膜层；下料工位，包括翻转机构，以对完成喷墨打印的基片进行翻面后下料；其中，上料工位、图印工位和下料工位依次沿主输送线的输送方向设置，主输送线适于对上料缓存区的上游输送基片，使得多个上料子工位交替缓存基片，并对上料子工位完成降温的基片向图印工位上料，且对翻面的基片进行下料，提高了在基片制备掩膜层的效率。

本发明授权图形化设备和图形化设备的图印方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化设备，包括主输送线101，其特征在于，所述图形化设备10包括： 上料工位100，包括上料缓存区110和降温装置120，所述上料缓存区110设有多个上料子工位，所述降温装置120设于所述上料缓存区110，所述降温装置120适于对所述上料缓存区110降温； 图印工位200，包括喷墨单元240，所述喷墨单元240适于向基片102喷射液态热熔墨滴； 下料工位300，包括翻转机构310，以对完成热熔喷墨打印的基片102进行翻面后下料； 其中，所述上料工位100、所述图印工位200和所述下料工位300依次沿所述主输送线101的输送方向设置，所述主输送线101适于对所述上料缓存区110的上游输送基片102，使得多个所述上料子工位交替缓存所述基片102，并对所述上料子工位完成降温的所述基片102向所述图印工位200上料，且对完成翻面的所述基片102进行下料； 所述上料缓存区110包括： 至少一条上料支线112，所述上料支线112与所述主输送线101并联设置； 上料仓111，供所述主输送线101和所述上料支线112贯穿设置； 其中，所述上料缓存区110设于所述上料仓111内，所述多个上料子工位包括第一上料子工位1101和第二上料子工位1102，所述第一上料子工位1101位于所述上料仓111内的所述主输送线101上，所述第二上料子工位1102位于所述上料仓111内的所述上料支线112上。

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