北京智芯微电子科技有限公司赵东艳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510341316.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片是由赵东艳;余山;陈燕宁;刘芳;吴波;邓永峰;朱松超;张东;张俊江设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅极、多晶硅电阻、金属硅化物层、场氧化层以及栅氧化层，多晶硅栅极与多晶硅电阻相接，金属硅化物层形成于多晶硅栅极的表面，并与多晶硅电阻相接；场氧化层形成于多晶硅栅极的侧端及底部，并与漏区相接，多晶硅栅极、场氧化层及漏区构成电容结构，多晶硅栅极与场氧化层构成场板结构。本发明实施例通过金属硅化物层降低多晶硅电阻与多晶硅栅极之间的导通电阻，同时利用多晶硅栅极与场氧化层构成的场板结构提高击穿电压，从而提高ESD器件的高压保护能力。
本发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种LDMOSFET结构的ESD器件，包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，其特征在于，所述体区、漂移区及栅极结构形成于所述衬底中，所述源区嵌入所述体区的内部，所述漏区嵌入所述漂移区的内部； 所述源区连接源极金属层，所述漏区连接漏极金属层； 所述栅极结构包括：多晶硅栅极、多晶硅电阻、金属硅化物层以及场氧化层，所述多晶硅栅极与所述多晶硅电阻相接，所述多晶硅电阻与所述源极金属层相连，所述金属硅化物层形成于所述多晶硅栅极的表面，并与所述多晶硅电阻相接，所述多晶硅栅极通过所述金属硅化物层与所述多晶硅电阻形成导电通道； 所述场氧化层形成于所述多晶硅栅极的侧端及底部，并与所述漏区相接，所述多晶硅栅极、场氧化层及漏区构成电容结构，所述多晶硅栅极与所述场氧化层构成场板结构。
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