远山新材料科技有限公司朱宁获国家专利权
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龙图腾网获悉远山新材料科技有限公司申请的专利用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510395254.6，技术领域涉及：H10P14/68；该发明授权用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法是由朱宁;高天;结城智设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法在说明书摘要公布了：本申请公开用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法，依次包括以下步骤：S10，在GaN表面沉积SiO22薄膜，然后在黄光环境下进行光阻涂布，并在SiO22薄膜位置光刻出周期性微沟槽图案，然后腐蚀制作出SiO22薄膜沟槽，待腐蚀完成后去掉光阻；S20，在所述SiO22薄膜沟槽的槽底通过表面选择性湿法蚀刻，形成纳米级凹坑；S30，在GaN表面涂覆聚合物，在N22氛围下进行阶梯固化。本申请提供的用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法能够有效提升GaN‑聚合物界面的粘附性，并降低界面应力和漏电，提高击穿耐压良率。
本发明授权用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法在权利要求书中公布了：1.用于提升聚合物与GaN高压功率芯片表面粘附力的方法，其特征在于，依次包括以下步骤： S10，在GaN表面沉积SiO2薄膜，然后在黄光环境下进行光阻涂布，并在SiO2薄膜位置光刻出周期性微沟槽图案，然后腐蚀制作出SiO2薄膜沟槽，待腐蚀完成后去掉光阻，其中在黄光环境下进行光阻涂布之前首先通过RTA高温快速退火的方式来消除SiO2薄膜中的氢键，减少微孔； S20，在所述SiO2薄膜沟槽的槽底通过表面选择性湿法蚀刻，形成纳米级凹坑，其中所述SiO2薄膜沟槽的槽宽为1-5um，槽间距为2-10um，其中所述纳米级凹坑的深度为10-20nm； S30，在GaN表面涂覆聚合物，在N2氛围下进行阶梯固化。
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