浙江美晶新材料股份有限公司宁志新获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江美晶新材料股份有限公司申请的专利一种半导体级大尺寸石英坩埚及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120622795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511106473.4，技术领域涉及：C03B20/00；该发明授权一种半导体级大尺寸石英坩埚及其制备方法是由宁志新;左伟仙;王杨柳;邓红;陶飞;王洋洋;陈超;周勇;吴伟华设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体级大尺寸石英坩埚及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体级大尺寸石英坩埚的制备方法，该制备方法包括在真空电弧熔制过程中使用的电弧熔制装置包括至少6个电极；在真空电弧熔制过程中，封皮处理的电流为2000~2500A，电极底部至模具端口的距离为10~30mm。该制备方法减薄R角厚度，提高了传热的均匀性，进而提高制备单晶硅的整棒率和质量；同时还降低了真空电弧熔制后微气泡的残留数量，避免拉晶过程中微气泡破裂对于单晶硅生长的影响。
本发明授权一种半导体级大尺寸石英坩埚及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体级大尺寸石英坩埚的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在真空电弧熔制过程中使用的电弧熔制装置包括至少6个电极； 在所述真空电弧熔制过程中，封皮处理的电流为2000~2500A，所述封皮处理的时间为8~12s，所述电极底部至模具端口的距离为10~30mm，所述封皮处理得到的封皮层的厚度为0.5~1.0mm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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