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龙图腾网获悉晋中学院申请的专利C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120647434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510948814.6，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料及制备方法是由仝宗伟;闫香洁;马腾;赵亚丽;李克训;赵亚娟设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及耐高温吸波材料技术领域，更具体而言，涉及C@空隙@SiC@SiO22双梯度结构轻质吸波陶瓷材料及制备方法。所述吸波陶瓷材料在宏微观层面构成双梯度结构，包括内核和孔壁，所述内核为C核，C核与孔壁之间为纳米空隙层，所述孔壁为双层结构，内层为SiC层，外层为SiO22层。本发明制备的C@空隙@SiC@SiO22双梯度结构轻质吸波陶瓷材料，孔隙率70%~85%，在8GHz~14GHz的最低反射损耗可达‑65dB，抗压缩强度最高可达12±1MPa，在氧化性气氛中使用温度可达1100℃，可满足“宽频域+强吸收+耐高温+轻强薄”要求，为高精度雷达、高速通信及新能源装备提供高效电磁防护解决方案。

本发明授权C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括内核和孔壁，所述内核为C核，C核与孔壁之间为纳米空隙层，所述孔壁为双层结构，内层为SiC层，外层为SiO2层； 所述制备方法具体步骤为： S1.取碳源采用水热法合成粒径呈梯度分布的系列球状碳； S2.取硅源采用低温化学气相沉积工艺，将SiO2沉积到S1中制备的粒径呈梯度分布的系列球状碳表面，形成SiO2壳层，获得粒径呈梯度分布的系列C@SiO2核壳结构粉； S3.将S2中的C@SiO2核壳结构粉分散到去离子水中，形成C@SiO2分散液； S4.将S3中的分散液置入模具中，利用密度诱导形成具有梯度结构的C@SiO2初级生坯； S5.采用压制成型工艺将S4中的初级生坯压制成C@SiO2次级生坯； S6.将S5中制备的C@SiO2生坯在氩气气氛中烧结，形成C@SiC@SiO2中间体； S7.将S6中制备的C@SiC@SiO2中间体在含氧氛围中热处理，使其中的C核发生氧化，从而与壳层分离，形成C@空隙@SiC@SiO2双梯度结构轻质吸波陶瓷材料。

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