浙江大学吴赞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233388.4，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法是由吴赞;陈挚信;唐苇羽;余子雨;盛况设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法，包括解耦电容、覆铜陶瓷基板、功率芯片和金属垫块；所述金属垫块和功率芯片采用金属垫块‑功率芯片‑金属垫块的方式进行逐层堆叠连接形成串联芯片组，所述覆铜陶瓷基板与串联芯片组中金属垫块的两侧连接，与功率芯片呈垂直方向。本发明中通过正交堆叠封装和双铜垫块双面冷却的协同效果，对冷却功率模块的电学和热学性能协同优化，实现功率模块寄生电感得到了显著降低，瞬态过流支撑能力显著提升，该封装技术具有良好的灵活性，可适用于不同封装类型的功率模块。
本发明授权一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正交堆叠的双面冷却功率模块，其特征在于，包括解耦电容、覆铜陶瓷基板、功率芯片和金属垫块；所述覆铜陶瓷基板包括顶层覆铜陶瓷基板和底层覆铜陶瓷基板，所述解耦电容设于顶层覆铜陶瓷基板外表面两端； 所述金属垫块和功率芯片采用金属垫块-功率芯片-金属垫块的方式进行逐层堆叠连接形成串联芯片组，所述覆铜陶瓷基板与串联芯片组中金属垫块的两侧连接，与功率芯片呈垂直方向。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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