杭州富芯半导体有限公司钱心嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种铜互连结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511236085.8，技术领域涉及：H10W20/47；该发明授权一种铜互连结构的制造方法及半导体结构是由钱心嘉设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铜互连结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种铜互连结构的制造方法及半导体结构，所述铜互连结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层；在所述介质层中形成铜互连沟槽；在所述沟槽侧壁及底部形成铜阻挡层；在所述铜互连沟槽中的铜阻挡层上填充金属铜。采用所述方法，能够实现抑制铜扩散的铜互连结构制程，避免现有阻挡层氮化钽钽沉积工艺随着金属层线宽缩小而产生可靠性问题。
本发明授权一种铜互连结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种铜互连结构的制造方法，其特征在于包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层； 在所述介质层中形成铜互连沟槽； 在所述沟槽侧壁及底部形成铜阻挡层； 在所述铜互连沟槽中的铜阻挡层上填充金属铜； 其中，在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层的方法包括：在所述介质层的形成过程中，梯度递增和或分阶段递增用于针对原料气体施加能量的射频电源功率，在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层； 其中，所述低介电常数介质层包括多个介质子层，所述铜互连沟槽形成于所述多个介质子层的顶层介质子层中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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