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龙图腾网获悉厦门理工学院申请的专利银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法及调控系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120831329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511329357.9，技术领域涉及：G01N21/21；该发明授权银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法及调控系统是由左娟;陈璟琪;王金龙;章育枝;王杰颖设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法及调控系统在说明书摘要公布了：本发明公开了银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法及调控系统，包括以下步骤：S1：通过椭圆偏振光谱实时获取电接触片表面的有机保护膜厚度为dorgorg和氧化膜厚度为doxox；S2：将有机保护膜厚度dorgorg或氧化膜厚度doxox输入预设的膜厚‑接触电阻关联模型，输出得到预测接触电阻值Rcc；S3：当预测接触电阻Rcc≦25mΩ时，判定电接触片合格，当预测接触电阻Rcc25mΩ时，判定电接触片失效，触发后端处理流程，返回前端清洗工序。本发明利用预测接触电阻值Rcc的动态变化效果，判断前端清洗工艺过程中的电接触片的失效情况，及时对清洗槽的发生的不良原因进行排查，提高电接触片失效检测的及时性和可靠性。

本发明授权银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法及调控系统在权利要求书中公布了：1.银合金片状电接触片缓蚀处理的失效检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：通过椭圆偏振光谱实时获取电接触片表面的有机保护膜厚度为dorg和氧化膜厚度为dox； S2：将所述有机保护膜厚度dorg或氧化膜厚度dox输入预设的膜厚-接触电阻关联模型，输出得到预测接触电阻值Rc； S3：当预测接触电阻Rc≦25mΩ时，判定电接触片合格，当预测接触电阻Rc25mΩ时，判定电接触片失效，触发后端处理流程，返回前端清洗工序； 步骤S3中，所述后端处理流程，按照下述方法进行: S4：当dox＞d1，判定为酸洗不足；其中，d1为氧化膜阈值，单位为nm； S5：当dorgd2，判定为缓蚀剂失效，当dorg＞d3，判定为缓蚀剂浓度过高，其中，d2，d3为有机膜阈值，单位为nm； 所述预设的膜厚-接触电阻关联模型，基于Holm接触理论构建，满足以下通用形式： Rc＝Rconst+Rorg+Rox1 其中：Rconst为与膜层无关的收缩电阻，单位为mΩ；Rorg为有机膜厚度相关的电阻函数，单位为mΩ；Rox为氧化膜厚度相关的电阻函数，单位为mΩ。

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