买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511317280.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法是由陈荣盛;徐林设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法。本发明利用双温双气氛集成法解决了ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管单片集成时工艺不兼容的问题，将整个器件先在空气或氧气环境中240‑260℃退火20‑40min，然后在氮气环境中300‑350℃退火1‑1.5h。既保证了ITZO薄膜晶体管的性能，又避免了高温含氧环境对碳基晶体管的损伤，获得了电学性能匹配良好的PMOS和NMOS，所得CMOS反相器在VVdddd为2V时展示出276VV的高增益，反相器对幅值为20mV的正弦信号放大倍率超过50倍。本发明的CMOS反相器有望应用于柔性集成电路与可穿戴设备。

本发明授权基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，采用双温双气氛集成法制备，所述CMOS反相器包括单片集成的ITZO薄膜晶体管和碳基晶体管； 所述双温双气氛集成法包括：将单片集成的ITZO薄膜晶体管和碳基晶体管作为一个整体进行退火，退火过程分两步，首先在空气或氧气环境中240-260℃退火20-40min，然后在氮气环境中300-350℃退火1-1.5h；具体包括以下步骤： 1清洗衬底，在衬底上沉积电极材料，形成栅电极层； 2在栅电极层上方沉积介质层材料，形成栅介质层； 3将整个器件浸入含有碳纳米管的溶液中，取出后烘干，在栅介质层表面形成碳纳米管薄膜； 4将碳纳米管薄膜图案化，形成碳基晶体管的有源层； 5在碳基晶体管的有源层上方制备碳基晶体管的源、漏电极，使用金属掩膜板图案化，形成碳基晶体管； 6在栅介质层上方与碳基晶体管处于同一层的不同位置制备ITZO薄膜，使用金属掩膜板图案化，形成ITZO薄膜晶体管的有源层； 7在ITZO薄膜晶体管的有源层上方制备ITZO薄膜晶体管的源、漏电极，使用金属掩膜板图案化，形成ITZO薄膜晶体管，ITZO薄膜晶体管的漏电极与碳基晶体管的漏电极之间存在重叠互连区域； 8将整个器件置于空气或氧气气氛中在240-260℃退火20-40min；然后将整个器件置于氮气气氛中在300-350℃退火1-1.5h，得到所述CMOS反相器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510640 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。