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龙图腾网获悉江西省地质局物化探大队申请的专利基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120852680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511350683.8，技术领域涉及：G06T17/00；该发明授权基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统是由游韵;陈后扬;吴西全;王思兵;华博广;邹其峰;陈伟伟;张黎设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统，方法包括：根据预设的阵列过滤策略对所述多个四电极阵列预处理，得到目标四电极阵列；根据各个目标四电极阵列的几何配置与测量值，计算各个目标四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的目标灵敏度平均位置，并将各个目标灵敏度平均位置定义为相对应的目标四电极阵列的目标伪位置；基于目标四电极阵列的目标伪位置和视电阻率值，通过三维散点图或插值等高线图绘制三维伪剖面。有效剔除了会导致计算结果无效的接近零耦合的阵列，生成的伪剖面能可靠地复现地下结构的主要特征，如层状界面、垂直接触面和局部异常体。

本发明授权基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法，其特征在于，包括： 获取通过三维电阻率测量得到的多个四电极阵列的几何配置与测量值； 根据预设的阵列过滤策略对所述多个四电极阵列预处理，得到目标四电极阵列，其中，所述阵列过滤策略为：保留满足最短电极距离和次短电极距离均涉及全部四个电极的四电极阵列； 计算每个四电极阵列在均匀半空间中的理论电势差及梯度，沿梯度方向移动电极位置一个预设步长，若移动前后电势差符号发生反转，则判定四电极阵列接近零耦合状态并予以排除，其中，计算每个四电极阵列在均匀半空间中的理论电势差的表达式为： ， 式中，为当A电极和B电极供电时，M电极和N电极之间的电势，为电流，为电阻，为A电极和M电极之间的距离，为A电极和N电极之间的距离，为B电极和M电极之间的距离，为B电极和N电极之间的距离； 计算每个四电极阵列在均匀半空间中的梯度的表达式为： ， ， 式中，为当A电极和B电极供电时，M电极和N电极之间电势在均匀半空间中的梯度，为在A电极x方向的偏导数，为M电极和N电极之间的电势，为A电极的横坐标，为M电极的横坐标，为N电极的横坐标，为B电极的横坐标，为A电极的纵坐标，为M电极的纵坐标，为N电极的纵坐标，为B电极的纵坐标； 根据各个目标四电极阵列的几何配置与测量值，计算各个目标四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的目标灵敏度平均位置，并将各个目标灵敏度平均位置定义为相对应的目标四电极阵列的目标伪位置，其中，计算各个四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的灵敏度平均位置的表达式为： ， ， ， ， 式中，为四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的x坐标，为四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的y坐标，为四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的z坐标，为几何因子，为A电极的横坐标，为M电极的横坐标，为N电极的横坐标，为B电极的横坐标，为A电极的纵坐标，为M电极的纵坐标，为N电极的纵坐标，为B电极的纵坐标，为A电极和M电极之间的距离，为A电极和N电极之间的距离，为B电极和M电极之间的距离，为B电极和N电极之间的距离； 基于目标四电极阵列的目标伪位置和视电阻率值，通过三维散点图或插值等高线图绘制三维伪剖面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西省地质局物化探大队，其通讯地址为：330000 江西省南昌市西湖区云卿路229号朝阳时代广场；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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