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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511450107.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法是由夏宏营;郑文娟;张银桥;王玉;吴志鹏设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法，包括从下至上依次生长的衬底、缓冲层、N型DBR反射层、谐振腔层、P型DBR反射层，其中，所述谐振腔层包括多量子阱层、氧化层和隧穿结层，所述隧穿结层包括从下至上依次层叠的P型限制层、P型隧穿结层、N型隧穿结层和N型限制层，所述N型隧穿结层包括交替层叠的至少一第一N型隧穿结层和至少一第二N型隧穿结层，所述第一N型隧穿结层掺杂Te元素，第二N型隧穿结层掺杂Si元素；本申请的N型隧穿结层采用交替掺杂的方式生长，有效减少Te元素在隧穿结中的扩散，且在生长完N型隧穿结层后，还将AsH33的通入流量提升至1000sccm‑1500sccm，能够进一步降低Te元素的扩散，保证了PN结界面处的陡峭掺杂。

本发明授权一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多结垂直腔面发射激光器的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在衬底上采用MOCVD方法依次生长缓冲层、N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层； 其中，所述谐振腔层包括多量子阱层、氧化层和隧穿结层，所述隧穿结层包括从下至上依次生长的P型限制层、P型隧穿结层、N型隧穿结层和N型限制层，所述N型隧穿结层包括交替层叠生长的至少一第一N型隧穿结层和至少一第二N型隧穿结层，与P型隧穿结层接触的是第一N型隧穿结层，第一N型隧穿结层和第二N型隧穿结层都是N型Alx2Ga1-x2As层，所述第一N型隧穿结层掺杂Te元素，第二N型隧穿结层掺杂Si元素； 所述P型限制层为P型Alx1Ga1-x1As限制层，所述P型隧穿结层为P型Alx2Ga1-x2As隧穿结层，其中，0.7≤x1≤1,0≤x2≤0.4；所述P型限制层与P型隧穿结层之间还生长有P型过渡层，所述P型过渡层为Al组分非线性变化的P型AlGaAs过渡层，以将P型Alx1Ga1-x1As限制层渐变为P型Alx2Ga1-x2As隧穿结层； 所述N型隧穿结层为N型Alx2Ga1-x2As隧穿结层，所述N型限制层为N型Alx1Ga1-x1As限制层，其中，0.7≤x1≤1,0≤x2≤0.4；所述N型隧穿结层与N型限制层之间还设有N型过渡层，所述N型过渡层为Al组分非线性变化的N型AlGaAs过渡层，其渐变变化与P型过渡层对称； 在生长完N型隧穿结层后，在MOCVD腔体内将AsH3的通入流量从原有的100sccm-400sccm提升至1000sccm-1500sccm，同时MOCVD腔体内升高温度至700℃-750℃，并且使用大气体流量吹扫N型隧穿结层3分钟-5分钟，吹扫的总流量为20000sccm-35000sccm。

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