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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120915265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511430987.5，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法是由李国强;衣新燕;支国伟设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法，具体涉及第三代半导体技术与射频前端器件技术领域，采用多步骤清洗去除污染与氧化层，沉积多层缺陷梯度结构控制电荷迁移，构建牺牲层形成空腔基础，沉积支撑层提升结构稳定性，叠加高导电电极与优质压电层，精准刻蚀释放空腔结构；本发明，通过高纯度预处理去除有机物和氧化残留，增强沉积层与衬底结合，构建多层缺陷梯度硅结构抑制感应电荷迁移，引入稳定支撑层防止结构塌陷，沉积高导电与高压电复合层提升激发效率与频率响应，协同匹配层厚与缺陷密度增强能量转化效率，采用高选择性腐蚀体系释放空腔，实现高频下损耗抑制与品质因数提升。

本发明授权一种具有感应电荷捕获缺陷结构的谐振器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有感应电荷捕获空腔结构谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、衬底清洗，选择面硅晶圆作为硅衬底，首先使用丙酮清洗以去除所述硅衬底表面有机污染物，再使用异丙醇或去离子水漂洗，然后采用氢氟酸溶液去除表面天然氧化层，洗后使用去离子水彻底冲洗，并以氮气吹干； S2、多层空腔结构沉积，在经步骤S1清洗后的硅衬底上依次沉积多层空腔结构，多层所述空腔结构的缺陷密度不同，使多层所述空腔结构的缺陷密度形成梯度分布，所述多层空腔结构包括3层至5层硅基薄膜，多层所述空腔结构的总厚度为0.1μm至2μm，所述空腔结构中，位于靠近硅衬底侧的第一层缺陷密度最低，位于靠近器件活性区侧的最上层缺陷密度最高，各所述空腔结构的厚度为50nm至300nm，所述空腔结构通过离子注入、掺杂调控、多晶硅或非晶硅沉积方式形成，所述离子注入所用离子种类为磷、硼和氩； S3、牺牲层沉积，在多层空腔结构表面沉积牺牲层，所述牺牲层采用低温沉积方式形成，包含LPCVD、PECVD和PVD沉积工艺，所述牺牲层沉积厚度为0.5μm至4μm； S4、空腔刻蚀释放，采用干法和湿法刻蚀方式去除牺牲层形成缺陷结构，刻蚀气体为氯类或氟类卤化物，所述刻蚀方式为气相HF干法刻蚀和Cl2Ar等离子体刻蚀； S5、支撑层沉积，在牺牲层表面沉积支撑层，所述支撑层用于防止空腔上方结构因外力和应力作用发生塌陷，所述支撑层厚度为0.05μm至3μm； S6、电极与压电材料沉积，在支撑层上依次沉积底电极、压电材料层及顶电极，所述顶电极以及底电极材料为Mo，压电材料为AlN，所述底电极与顶电极的厚度分别为0.05μm至0.5μm；所述压电材料的厚度为0.5μm至2μm。

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