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龙图腾网获悉深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416718.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率器件及其制备方法是由杨旭刚;田月姣设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率器件及其制备方法，包括：在N型衬底上形成P型层和N型层；形成沟槽；离子注入形成N型源区；在沟槽中形成栅氧化层；在沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层；沉积介质层；形成源接触区，源接触区显露部分N型源区和部分P型层；形成绝缘层；形成栅接触区，栅接触区延伸至第一多晶硅层中；形成漏接触区，漏接触区显露N型层；形成源极、栅极和漏极，源极同时与N型源区和P型外延层接触。本发明可以将源极、栅极、漏极同时贴装至散热基板，极大优化了散热路径，降低了源极通路电感；本发明P型层和N型源区的连接是通过沟槽在器件内部形成的，可以有效简化工艺，避免额外的引出工艺，有效节约制造成本。

本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一N型衬底，在所述N型衬底上形成P型层和N型层； 刻蚀形成沟槽，所述沟槽贯穿所述N型层并延伸至所述P型层中； 在所述沟槽中形成遮挡部分P型层的阻挡层，通过离子注入在所述沟槽下方形成N型源区，所述N型源区自所述沟槽下部延伸至所述N型衬底中，去除所述阻挡层； 在所述沟槽中形成栅氧化层； 在所述沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层的栅叠层结构，所述厚氧化层还形成在所述第二多晶硅层与所述沟槽之间的侧壁； 在所述N型层上沉积介质层； 在第一区域刻蚀所述介质层和所述栅叠层结构以形成源接触区，所述源接触区显露部分所述N型源区和部分所述P型层； 在所述源接触区的栅叠层结构侧壁形成绝缘层； 在第二区域刻蚀所述介质层和所述栅叠层结构以形成栅接触区，所述栅接触区贯穿所述第二多晶硅层和厚氧化层并延伸至所述第一多晶硅层中； 在第三区域刻蚀去除所述介质层以形成漏接触区，所述漏接触区显露所述N型层； 在所述介质层上和源接触区、栅接触区及漏接触区中沉积金属层，对所述金属层进行图形化以分别形成源极、栅极和漏极，所述源极同时与所述N型源区和所述P型层接触。

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