江苏能华微电子科技发展有限公司李亦衡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏能华微电子科技发展有限公司申请的专利一种氮化镓晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416420.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓晶体管及制备方法是由李亦衡;王科;夏远洋;王强;魏鸿源;武乐可;朱廷刚设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓晶体管及制备方法，该氮化镓晶体管包括：复合衬底层及叠层设置在所述复合衬底层上的氮化镓辅助层及功能层；所述复合衬底层包括基底衬底及外延层，所述基底衬底及所述外延层为单晶碳化硅层，所述外延层的电阻率高于所述基底衬底的电阻率。本申请通过由低成本低电阻率碳化硅衬底和外延生长的高电阻率碳化硅层组成的复合碳化硅衬底，使得器件既结合了碳化硅高电阻率、高导热性和高机械强度的性能的基础上，也大大降低了材料成本。即本申请提供的复合碳化硅衬底结构的氮化镓晶体管，比均匀半绝缘碳化硅衬底更具成本效益，并保留了适用于高频和高功率应用的碳化硅的所有理想材料特性。
本发明授权一种氮化镓晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括： 复合衬底层及叠层设置在所述复合衬底层上的氮化镓辅助层及功能层； 所述复合衬底层包括基底衬底及外延层，所述基底衬底及所述外延层为单晶碳化硅层，所述复合衬底层中基底衬底的厚度大于所述外延层的厚度，所述复合衬底层中的单晶碳化硅为3C、4H或6H晶格结构，所述外延层的电阻率高于所述基底衬底的电阻率； 所述外延层包括单层或多层以上的碳化硅层，且多层碳化硅层中的各层碳化硅的电阻率自所述基底衬底到所述辅助层依次增大； 所述外延层中的各碳化硅层的厚度为5~10μm；所述外延层的总厚度为10~40μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏能华微电子科技发展有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励