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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种三结量子阱太阳电池外延结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511449759.2，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种三结量子阱太阳电池外延结构及其制造方法是由夏宏营;郑文娟;张银桥;王玉;曾世煜设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三结量子阱太阳电池外延结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三结量子阱太阳电池外延结构及其制造方法，包括从下至上依次层叠设置的作为第一子电池的衬底、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池，三个子电池之间通过隧穿结进行连接；其中，所述第一子电池为Ge电池，第二子电池为InGaAs电池，所述第三子电池为GaInPAlGaInP量子阱电池，所述第三子电池包括从下至上依次层叠设置的Alx1x1Ga1‑x11‑x1y1y1In1‑y11‑y1P背场层、量子阱基区、Alx4x4Ga1‑x41‑x4y4y4In1‑y41‑y4P发射区和Alx5x5In1‑x51‑x5P窗口层，所述量子阱基区由交替生长的Gax2x2In1‑x21‑x2P层和Alx3x3Ga1‑x31‑x3y3y3In1‑y31‑y3P层组成，其中，0.5≤x2≤0.6,0.5≤x3≤0.8，y3=0.5，本申请利用GaInPAlGaInP量子阱结构代替传统的AlGaInP材料作为顶电池材料，增加太阳电池的开路电压，同时弥补了AlGaInPGaAsGe太阳电池短路电流不够的缺点。

本发明授权一种三结量子阱太阳电池外延结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三结量子阱太阳电池外延结构，其特征在于：包括从下至上依次层叠设置的作为第一子电池的衬底、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池，三个子电池之间通过隧穿结进行连接；其中，所述第一子电池为Ge电池，第二子电池为InGaAs电池，所述第三子电池为GaInPAlGaInP量子阱电池，所述第三子电池包括从下至上依次层叠设置的Alx1Ga1-x1y1In1-y1P背场层、量子阱基区、Alx4Ga1-x4y4In1-y4P发射区和Alx5In1-x5P窗口层，所述量子阱基区由交替生长的Gax2In1-x2P层和Alx3Ga1-x3y3In1-y3P层组成，其中，0.5≤x2≤0.6,0.5≤x3≤0.8，y3=0.5。

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