杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453895.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种集成石墨烯散热通道的SiCVDMOSFET结构及其工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层以及N阱层，所述P阱层与N阱层之间设有石墨烯层，该石墨烯层的上下两端分别与N阱层、P阱层直接接触；所述P+层的内部设有金属层，所述金属层的顶端与源极直接接触。本发明通过在P阱层与N阱层之间引入石墨烯层，并使其与金属层形成欧姆接触，构建出高效垂直散热路径，显著提升了器件的散热能力，有效降低了工作温度，从而提高了器件的可靠性和功率密度，适用于高功率、高频率应用场景。
本发明授权一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺在权利要求书中公布了：1.一种集成石墨烯散热通道的SiCVDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2以及栅极3，所述半导体外延层包括N衬底层4、N扩散层5、P+层6、P阱层7以及N阱层8，其特征在于：所述P阱层7与N阱层8之间设有石墨烯层9，该石墨烯层9的上下两端分别与N阱层8、P阱层7直接接触； 所述P+层6的内部设有金属层10，所述金属层10的顶端与源极2直接接触，并且单个所述MOS元胞中相邻金属层10的相对应一侧与石墨烯层9欧姆接触。
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