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龙图腾网获悉烟台一诺电子材料有限公司申请的专利一种集成电路封装用键合铝丝及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543425.1，技术领域涉及：C22C21/02；该发明授权一种集成电路封装用键合铝丝及其制备方法是由林良设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路封装用键合铝丝及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金属合金技术领域，尤其涉及一种集成电路封装用键合铝丝及其制备方法，键合铝丝由一种复合铝合金构成，该合金在铝硅基体中，复合添加了锆、镧、镱、镓和铜，通过该化学组分设计，在合金内部构建了一种双区协同的微观结构：即在晶粒内部弥散分布有与铝基体共格的三铝化锆纳米相，同时在晶界处实现了镧与镱等溶质原子的偏聚，本发明通过上述在晶内和晶界两个维度上分区协同的稳定机制，解决了传统铝丝高温软化的问题，在不牺牲材料优良导电性的前提下，实现了高温强度和抗疲劳性能的提升，并使合金在键合损伤与极端热冲击下具备了自修复与自愈合能力，增强了其全生命周期的服役可靠性。

本发明授权一种集成电路封装用键合铝丝及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装用键合铝丝，该键合铝丝由一种铝合金构成，其特征在于，该铝合金按重量百分比由以下组分组成，以铝为基体，0.5%至1.2%的硅；0.05%至0.15%的锆；总含量为0.01%至0.08%的镧和镱；0.005%至0.05%的镓；以及0.1%至0.5%的铜； 铝合金中，镧与镱的重量比在1:3至3:1的范围内，并且镧与镱的重量总和与锆的重量之比在0.1至1.0的范围内； 在铝合金的微观结构中，弥散分布于铝基体晶粒内部的，是与铝基体共格的三铝化锆纳米相，三铝化锆纳米相的平均等效直径不大于20纳米，数密度不低于每立方米一乘以十的二十一次方个； 在铝基体的晶界处，存在镧和镱的溶质原子偏聚；镓以固溶原子形态存在于铝基体的晶格中；铜与铝基体及硅在铝基体的晶界处共同形成一个Al-Si-Cu三元低共晶组织，Al-Si-Cu三元低共晶组织的熔点在520℃至550℃的范围内；Al-Si-Cu三元低共晶组织在铝合金的微观结构中呈非连续分布状态，并且Al-Si-Cu三元低共晶组织与三铝化锆纳米相具备异质形核所需的小于5%的晶格错配度。

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