强一半导体(苏州)股份有限公司于海超获国家专利权
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龙图腾网获悉强一半导体(苏州)股份有限公司申请的专利一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223796586U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520143223.7,技术领域涉及:G01R1/04;该实用新型一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构是由于海超;赵梁玉设计研发完成,并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构在说明书摘要公布了:一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构,包括提供一作用面的支撑体、覆在所述作用面上的薄膜1、设于薄膜1内的相互间隔的第一金属层11及第二金属层12,以及突出于薄膜1表面的探针2;第一金属层11较第二金属层12更接近于所述探针2;其特征在于:将间距小于或等于250μm的多个探针2设为探针组,在薄膜1表面上在所述探针组的探针2之间开设分割凹槽3,分割凹槽3至少深及所述第一金属层11。本实用新型有效降低了探针间的薄膜及金属结构占比,削弱了针间干扰,提升了针卡接触性能,避免局部针痕过深、过浅或缺失等问题,降低了压伤wafer及测试信号缺失的风险。
本实用新型一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构在权利要求书中公布了:1.一种降低针间干扰的薄膜探针卡结构,包括提供一作用面的支撑体、覆在所述作用面上的薄膜1、设于薄膜1内的相互间隔的第一金属层11及第二金属层12,以及突出于薄膜1表面的探针2;第一金属层11较第二金属层12更接近于所述探针2;其特征在于:将间距小于或等于250μm的多个探针2设为探针组,在薄膜1表面上在所述探针组的探针2之间开设分割凹槽3,所述分割凹槽3至少深及所述第一金属层11。
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