深圳市鹏翔半导体有限公司黄达强获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市鹏翔半导体有限公司申请的专利一种高精度电容检测电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223796617U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422962048.2，技术领域涉及：G01R27/26；该实用新型一种高精度电容检测电路是由黄达强;胥海洲设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精度电容检测电路在说明书摘要公布了：一种高精度电容检测电路，包括第一电流源Iref1、检测电容CIN、第三开关SW3、第一参考电容Cref1、第一开关SW1、第二参考电容Cref2、第二开关SW2、第二电流源Iref2、检测电阻Rref、比较器、MOS开关管、计数器和振荡器。本实用新型的优点是：通过引入参考电容，消除已有电容检测方案的非理想因素造成的电容检测误差，从而提高了电容检测的精度，该检测方案可应用于咪头检测、触摸电容按键电容检测等场景。
本实用新型一种高精度电容检测电路在权利要求书中公布了：1.一种高精度电容检测电路，其特征在于，包括第一电流源Iref1、检测电容CIN、第三开关SW3、第一参考电容Cref1、第一开关SW1、第二参考电容Cref2、第二开关SW2、第二电流源Iref2、检测电阻Rref、比较器、MOS开关管、计数器和振荡器，所述第一电流源Iref1输出端分别与第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3的一端连接，且第一电流源Iref1与比较器的正相输入端连接，第三开关SW3的另一端与检测电容CIN连接，第一开关SW1与第一参考电容Cref1连接，第二开关SW2与第二参考电容Cref2连接，所述第二电流源Iref2输出端分别与比较器的反相输入端、检测电阻Rref连接，比较器的输出端与MOS开关管的栅极连接，MOS开关管的源极接地，MOS开关管的漏极与第一电流源Iref1的输出端连接，所述比较器的输出端还与计数器的输入端连接，振荡器的输出端与计数器的时钟输入端连接。
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